Effect of external stress on creation of buried SiO2 layer in silicon implanted with oxygen: Fid-Bau Portal

Effect of external stress on creation of buried SiO2 layer in silicon implanted with oxygen

Misiuk, A. / Barcz, A. / Ratajczak, J. / Lopez, M. / Romano-Rodriguez, A. / Bak-Misiuk, J. / Surma, H. B. / Jun, J. / Antonova, I. V. / Popov, V. P.

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Misiuk, A. / Barcz, A. / Ratajczak, J. / Lopez, M. / Romano-Rodriguez, A. / Bak-Misiuk, J. / Surma, H. B. / Jun, J. / Antonova, I. V. / Popov, V. P.

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Misiuk, A. / Barcz, A. / Ratajczak, J. / Lopez, M. / Romano-Rodriguez, A. / Bak-Misiuk, J. / Surma, H. B. / Jun, J. / Antonova, I. V. / Popov, V. P.

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Titel:

Effect of external stress on creation of buried SiO2 layer in silicon implanted with oxygen

Beteiligte:

Misiuk, A. (Autor:in) / Barcz, A. (Autor:in) / Ratajczak, J. (Autor:in) / Lopez, M. (Autor:in) / Romano-Rodriguez, A. (Autor:in) / Bak-Misiuk, J. (Autor:in) / Surma, H. B. (Autor:in) / Jun, J. (Autor:in) / Antonova, I. V. (Autor:in) / Popov, V. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 73 ; 134 - 138

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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