Anisotropy of Inversion Channel Mobility in 4H- and 6H-SiC MOSFETs on (11&unknown;20) Face: Fid-Bau Portal

Anisotropy of Inversion Channel Mobility in 4H- and 6H-SiC MOSFETs on (11&unknown;20) Face

Yano, H. / Hirao, T. / Kimoto, T. / Matsunami, H. / Asano, K. / Sugawara, Y.

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Titel:

Anisotropy of Inversion Channel Mobility in 4H- and 6H-SiC MOSFETs on (11&unknown;20) Face

Beteiligte:

Yano, H. (Autor:in) / Hirao, T. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Matsunami, H. (Autor:in) / Asano, K. (Autor:in) / Sugawara, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1105-1108

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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