4H-SiC MOSFETs on C(000-,1) Face with Inversion Channel Mobility of 127cm^2/Vs: Fid-Bau Portal

4H-SiC MOSFETs on C(000-,1) Face with Inversion Channel Mobility of 127cm^2/Vs

Fukuda, K. / Kato, M. / Senzaki, J. / Kojima, K. / Suzuki, T.

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Titel:

4H-SiC MOSFETs on C(000-,1) Face with Inversion Channel Mobility of 127cm^2/Vs

Beteiligte:

Fukuda, K. (Autor:in) / Kato, M. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Suzuki, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1417-1420

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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