Dynamic Avalanche and Trapped Charge in 4H-SiC Diodes: Fid-Bau Portal

Dynamic Avalanche and Trapped Charge in 4H-SiC Diodes

Domeij, M. / Breitholtz, B. / Aberg, D. / Martinez, A. / Bergman, P.

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Titel:

Dynamic Avalanche and Trapped Charge in 4H-SiC Diodes

Beteiligte:

Domeij, M. (Autor:in) / Breitholtz, B. (Autor:in) / Aberg, D. (Autor:in) / Martinez, A. (Autor:in) / Bergman, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1327-1330

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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