Proton Irradiation of 4H-SiC Ultraviolet Single Photon Avalanche Diodes: Fid-Bau Portal

Proton Irradiation of 4H-SiC Ultraviolet Single Photon Avalanche Diodes

Gaskill, D.K. / Hu, J. / Xin, X. / Zhao, J.H. / VanMil, B.L. / Myers-Ward, R.L. / Eddy, C.R.

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Titel:

Proton Irradiation of 4H-SiC Ultraviolet Single Photon Avalanche Diodes

Beteiligte:

Gaskill, D.K. (Autor:in) / Hu, J. (Autor:in) / Xin, X. (Autor:in) / Zhao, J.H. (Autor:in) / VanMil, B.L. (Autor:in) / Myers-Ward, R.L. (Autor:in) / Eddy, C.R. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 551-554

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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