4H-SiC CVD Epitaxial Layers with Improved Structural Quality Grown on SiC Wafers with Reduced Micropipe Density: Fid-Bau Portal

4H-SiC CVD Epitaxial Layers with Improved Structural Quality Grown on SiC Wafers with Reduced Micropipe Density

Kalinina, E. V. / Zubrilov, A. / Solov'ev, V. / Kuznetsov, N. / Hallen, A. / Konstantinov, A. / Karlsson, S. / Rendakova, S. / Dmitriev, V.

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Kalinina, E. V. / Zubrilov, A. / Solov'ev, V. / Kuznetsov, N. / Hallen, A. / Konstantinov, A. / Karlsson, S. / Rendakova, S. / Dmitriev, V.

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Kalinina, E. V. / Zubrilov, A. / Solov'ev, V. / Kuznetsov, N. / Hallen, A. / Konstantinov, A. / Karlsson, S. / Rendakova, S. / Dmitriev, V.

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Titel:

4H-SiC CVD Epitaxial Layers with Improved Structural Quality Grown on SiC Wafers with Reduced Micropipe Density

Beteiligte:

Kalinina, E. V. (Autor:in) / Zubrilov, A. (Autor:in) / Solov'ev, V. (Autor:in) / Kuznetsov, N. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Konstantinov, A. (Autor:in) / Karlsson, S. (Autor:in) / Rendakova, S. (Autor:in) / Dmitriev, V. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 505-508

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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