Optical-Capacitance-Transient Spectroscopy Study for Deep Levels in 4H-SiC Epilayer Grown by Cold Wall Chemical Vapor Deposition: Fid-Bau Portal

Optical-Capacitance-Transient Spectroscopy Study for Deep Levels in 4H-SiC Epilayer Grown by Cold Wall Chemical Vapor Deposition

Kato, M. / Tanaka, S. / Ichimura, M. / Arai, E. / Nakamura, S. / Kimoto, T.

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Titel:

Optical-Capacitance-Transient Spectroscopy Study for Deep Levels in 4H-SiC Epilayer Grown by Cold Wall Chemical Vapor Deposition

Beteiligte:

Kato, M. (Autor:in) / Tanaka, S. (Autor:in) / Ichimura, M. (Autor:in) / Arai, E. (Autor:in) / Nakamura, S. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 381-384

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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