Lattice constant of GaN grown on 6H-SiC by MOMBE: Fid-Bau Portal

Lattice constant of GaN grown on 6H-SiC by MOMBE

Honda, T. / Fujita, N. / Maki, K. / Yamamoto, Y. / Kawanashi, H.

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Titel:

Lattice constant of GaN grown on 6H-SiC by MOMBE

Beteiligte:

Honda, T. (Autor:in) / Fujita, N. (Autor:in) / Maki, K. (Autor:in) / Yamamoto, Y. (Autor:in) / Kawanashi, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 159-160 ; 468-471

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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