Epitaxial Growth of 4H-SiC in a Vertical Hot-Wall CVD Reactor: Comparison between Up- and Down-Flow Orientations: Fid-Bau Portal

Epitaxial Growth of 4H-SiC in a Vertical Hot-Wall CVD Reactor: Comparison between Up- and Down-Flow Orientations

Zhang, J. / Ellison, A. / Danielsson, O. / Henry, A. / Janzen, E.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Epitaxial Growth of 4H-SiC in a Vertical Hot-Wall CVD Reactor: Comparison between Up- and Down-Flow Orientations

Zhang, J. / Ellison, A. / Danielsson, O. / Henry, A. / Janzen, E.

Epitaxial Growth of 4H-SiC in a Vertical Hot-Wall CVD Reactor: Comparison between Up- and Down-Flow Orientations

Zhang, J. / Ellison, A. / Danielsson, O. / Henry, A. / Janzen, E.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Epitaxial Growth of 4H-SiC in a Vertical Hot-Wall CVD Reactor: Comparison between Up- and Down-Flow Orientations

Beteiligte:

Zhang, J. (Autor:in) / Ellison, A. (Autor:in) / Danielsson, O. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 353/356 ; 91-94

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Hasegawa, M. / Miyauchi, A. / Masahara, K. et al. | British Library Online Contents | 2002

Growth of SiC Epitaxial Layers in a Vertical Cold Wall Reactor Suited for High Voltage Applications

Rupp, R. / Wiedenhofer, A. / Friedrichs, P. et al. | British Library Online Contents | 1998

High-Rate Epitaxial Growth of 4H-SiC Using a Vertical-Type, Quasi-Hot-Wall CVD Reactor

Masahara, K. / Takahashi, T. / Kushibe, M. et al. | British Library Online Contents | 2002

SiC Epitaxial Layer Growth in a 6x150 mm Warm-Wall Planetary Reactor

Burk, A.A. / Tsvetkov, D. / Barnhardt, D. et al. | British Library Online Contents | 2012

3-D Computational Modeling of SiC Epitaxial Growth in a Hot Wall Reactor

Ji, W. / Lofgren, P. M. / Hallin, C. et al. | British Library Online Contents | 2000

Nach oben