SiC Epitaxial Layer Growth in a 6x150 mm Warm-Wall Planetary Reactor: Fid-Bau Portal

SiC Epitaxial Layer Growth in a 6x150 mm Warm-Wall Planetary Reactor

Burk, A.A. / Tsvetkov, D. / Barnhardt, D. / O Loughlin, M.J. / Garrett, L. / Towner, P. / Seaman, J. / Deyneka, E. / Khlebnikov, Y. / Palmour, J.W.

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Burk, A.A. / Tsvetkov, D. / Barnhardt, D. / O Loughlin, M.J. / Garrett, L. / Towner, P. / Seaman, J. / Deyneka, E. / Khlebnikov, Y. / Palmour, J.W.

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Titel:

SiC Epitaxial Layer Growth in a 6x150 mm Warm-Wall Planetary Reactor

Beteiligte:

Burk, A.A. (Autor:in) / Tsvetkov, D. (Autor:in) / Barnhardt, D. (Autor:in) / O Loughlin, M.J. (Autor:in) / Garrett, L. (Autor:in) / Towner, P. (Autor:in) / Seaman, J. (Autor:in) / Deyneka, E. (Autor:in) / Khlebnikov, Y. (Autor:in) / Palmour, J.W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 75-80

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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