High-Rate Epitaxial Growth of 4H-SiC Using a Vertical-Type, Quasi-Hot-Wall CVD Reactor: Fid-Bau Portal

High-Rate Epitaxial Growth of 4H-SiC Using a Vertical-Type, Quasi-Hot-Wall CVD Reactor

Masahara, K. / Takahashi, T. / Kushibe, M. / Ohno, T. / Nishio, J. / Kojima, K. / Ishida, Y. / Suzuki, T. / Tanaka, T. / Yoshida, S.

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Titel:

High-Rate Epitaxial Growth of 4H-SiC Using a Vertical-Type, Quasi-Hot-Wall CVD Reactor

Beteiligte:

Masahara, K. (Autor:in) / Takahashi, T. (Autor:in) / Kushibe, M. (Autor:in) / Ohno, T. (Autor:in) / Nishio, J. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Ishida, Y. (Autor:in) / Suzuki, T. (Autor:in) / Tanaka, T. (Autor:in) / Yoshida, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 179-182

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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