Channeling Measurements of Ion Implantation Damage in 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Channeling Measurements of Ion Implantation Damage in 4H-SiC

Kuznetsov, A. Y. / Janson, M. S. / Hallen, A. / Svensson, B. G. / Jagadish, C. / Grunleitner, H. / Pensl, G.

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Titel:

Channeling Measurements of Ion Implantation Damage in 4H-SiC

Beteiligte:

Kuznetsov, A. Y. (Autor:in) / Janson, M. S. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Svensson, B. G. (Autor:in) / Jagadish, C. (Autor:in) / Grunleitner, H. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 353/356 ; 595-598

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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