High rate etching of sapphire wafer using Cl2/BCl3/Ar inductively coupled plasmas: Fid-Bau Portal

High rate etching of sapphire wafer using Cl2/BCl3/Ar inductively coupled plasmas

Sung, Y. J. / Kim, H. S. / Lee, Y. H. / Lee, J. W. / Chae, S. H. / Park, Y. J. / Yeom, G. Y.

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Titel:

High rate etching of sapphire wafer using Cl2/BCl3/Ar inductively coupled plasmas

Beteiligte:

Sung, Y. J. (Autor:in) / Kim, H. S. (Autor:in) / Lee, Y. H. (Autor:in) / Lee, J. W. (Autor:in) / Chae, S. H. (Autor:in) / Park, Y. J. (Autor:in) / Yeom, G. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 82 ; 50 - 52

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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