High etching rate of GaN films by KrF excimer laser: Fid-Bau Portal

High etching rate of GaN films by KrF excimer laser

Chu, C. F. / Lee, C. K. / Yu, C. C. / Wang, Y. K. / Tasi, J. Y. / Yang, C. R. / Wang, S. C.

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Titel:

High etching rate of GaN films by KrF excimer laser

Beteiligte:

Chu, C. F. (Autor:in) / Lee, C. K. (Autor:in) / Yu, C. C. (Autor:in) / Wang, Y. K. (Autor:in) / Tasi, J. Y. (Autor:in) / Yang, C. R. (Autor:in) / Wang, S. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 82 ; 42 - 44

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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