Effect of in situ boron doping on properties of silicon germanium films deposited by chemical vapor deposition at 400^oC: Fid-Bau Portal

Effect of in situ boron doping on properties of silicon germanium films deposited by chemical vapor deposition at 400^oC

Sedky, S. / Witvrouw, A. / Saerens, A. / Van Houtte, P. / Poortmans, J. / Baert, K.

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Titel:

Effect of in situ boron doping on properties of silicon germanium films deposited by chemical vapor deposition at 400^oC

Beteiligte:

Sedky, S. (Autor:in) / Witvrouw, A. (Autor:in) / Saerens, A. (Autor:in) / Van Houtte, P. (Autor:in) / Poortmans, J. (Autor:in) / Baert, K. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 16 ; 2607-2612

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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