Silicon-germanium films deposited by low-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition: Effect of H~2 and Ar dilution: Fid-Bau Portal

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Silicon-germanium films deposited by low-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition: Effect of H~2 and Ar dilution

Kosarev, A. / Torres, A. / Hernandez, Y. / Ambrosio, R. / Zuniga, C. / Felter, T. E. / Asomoza, R. / Kudriavtsev, Y. / Silva-Gonzalez, R. / Gomez-Barojas, E.

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Kosarev, A. / Torres, A. / Hernandez, Y. / Ambrosio, R. / Zuniga, C. / Felter, T. E. / Asomoza, R. / Kudriavtsev, Y. / Silva-Gonzalez, R. / Gomez-Barojas, E.

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Titel:

Silicon-germanium films deposited by low-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition: Effect of H~2 and Ar dilution

Beteiligte:

Kosarev, A. (Autor:in) / Torres, A. (Autor:in) / Hernandez, Y. (Autor:in) / Ambrosio, R. (Autor:in) / Zuniga, C. (Autor:in) / Felter, T. E. (Autor:in) / Asomoza, R. (Autor:in) / Kudriavtsev, Y. (Autor:in) / Silva-Gonzalez, R. (Autor:in) / Gomez-Barojas, E. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 21 ; 88-104

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

17 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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