Fabrication and characterization of GaAs MIS devices with N-rich PECVD SixNy dielectric: Fid-Bau Portal

Fabrication and characterization of GaAs MIS devices with N-rich PECVD SixNy dielectric

Pal, S. / Bose, D. N.

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Titel:

Fabrication and characterization of GaAs MIS devices with N-rich PECVD SixNy dielectric

Beteiligte:

Pal, S. (Autor:in) / Bose, D. N. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 181 ; 179-184

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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