Investigation of Al-implanted 6H- and 4H-SiC layers after fast heating rate annealings: Fid-Bau Portal

Investigation of Al-implanted 6H- and 4H-SiC layers after fast heating rate annealings

Ottaviani, L. / Lazar, M. / Locatelli, M. L. / Monteil, Y. / Heera, V. / Voelskow, M. / Skorupa, W.

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Titel:

Investigation of Al-implanted 6H- and 4H-SiC layers after fast heating rate annealings

Beteiligte:

Ottaviani, L. (Autor:in) / Lazar, M. (Autor:in) / Locatelli, M. L. (Autor:in) / Monteil, Y. (Autor:in) / Heera, V. (Autor:in) / Voelskow, M. (Autor:in) / Skorupa, W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 184 ; 330-335

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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