Transconductance, carrier mobility and 1/f noise in Si/Si0.64Ge0.36/Si pMOSFETs: Fid-Bau Portal

Transconductance, carrier mobility and 1/f noise in Si/Si0.64Ge0.36/Si pMOSFETs

Prest, M. J. / Palmer, M. J. / Grasby, T. J. / Phillips, P. J. / Mironov, O. A. / Parker, E. H. / Whall, T. E. / Waite, A. M. / Evans, A. G. / Watling, J. R.

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Prest, M. J. / Palmer, M. J. / Grasby, T. J. / Phillips, P. J. / Mironov, O. A. / Parker, E. H. / Whall, T. E. / Waite, A. M. / Evans, A. G. / Watling, J. R.

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Titel:

Transconductance, carrier mobility and 1/f noise in Si/Si0.64Ge0.36/Si pMOSFETs

Beteiligte:

Prest, M. J. (Autor:in) / Palmer, M. J. (Autor:in) / Grasby, T. J. (Autor:in) / Phillips, P. J. (Autor:in) / Mironov, O. A. (Autor:in) / Parker, E. H. (Autor:in) / Whall, T. E. (Autor:in) / Waite, A. M. (Autor:in) / Evans, A. G. (Autor:in) / Watling, J. R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 89 ; 444 - 448

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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