The switch of the worst case on NBTI and hot-carrier reliability for 0.13mm pMOSFETs: Fid-Bau Portal

The switch of the worst case on NBTI and hot-carrier reliability for 0.13mm pMOSFETs

Tu, C. H. / Chen, S. Y. / Lin, M. H. / Wang, M. C. / Wu, S. H. / chou, S. / Ko, J. / Huang, H. S.

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Titel:

The switch of the worst case on NBTI and hot-carrier reliability for 0.13mm pMOSFETs

Beteiligte:

Tu, C. H. (Autor:in) / Chen, S. Y. (Autor:in) / Lin, M. H. (Autor:in) / Wang, M. C. (Autor:in) / Wu, S. H. (Autor:in) / chou, S. (Autor:in) / Ko, J. (Autor:in) / Huang, H. S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6186-6189

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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