Comparative study of low frequency noise and hot-carrier reliability in SiGe PD SOI pMOSFETs: Fid-Bau Portal

Comparative study of low frequency noise and hot-carrier reliability in SiGe PD SOI pMOSFETs

Choi, S. S. / Choi, A. R. / Yang, J. W. / Hwang, Y. W. / Cho, D. H. / Shim, K. H.

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Titel:

Comparative study of low frequency noise and hot-carrier reliability in SiGe PD SOI pMOSFETs

Beteiligte:

Choi, S. S. (Autor:in) / Choi, A. R. (Autor:in) / Yang, J. W. (Autor:in) / Hwang, Y. W. (Autor:in) / Cho, D. H. (Autor:in) / Shim, K. H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6190-6193

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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