Effect of Process Variations on 4H Silicon Carbide n-Channel MOSFET Mobilities: Fid-Bau Portal

Effect of Process Variations on 4H Silicon Carbide n-Channel MOSFET Mobilities

Lu, C.-Y. / Cooper, J. A. / Chung, G. Y. / Williams, J. R. / McDonald, K. / Feldman, L. C.

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Titel:

Effect of Process Variations on 4H Silicon Carbide n-Channel MOSFET Mobilities

Beteiligte:

Lu, C.-Y. (Autor:in) / Cooper, J. A. (Autor:in) / Chung, G. Y. (Autor:in) / Williams, J. R. (Autor:in) / McDonald, K. (Autor:in) / Feldman, L. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 977-980

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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