Ionization Energies and Electron Mobilities in Phosphorus- and Nitrogen-Implanted 4H-Silicon Carbide: Fid-Bau Portal

Ionization Energies and Electron Mobilities in Phosphorus- and Nitrogen-Implanted 4H-Silicon Carbide

Capano, M. A. / Cooper, J. A. / Melloch, M. R. / Saxler, A. / Mitchel, W. C.

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Titel:

Ionization Energies and Electron Mobilities in Phosphorus- and Nitrogen-Implanted 4H-Silicon Carbide

Beteiligte:

Capano, M. A. (Autor:in) / Cooper, J. A. (Autor:in) / Melloch, M. R. (Autor:in) / Saxler, A. (Autor:in) / Mitchel, W. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 703-706

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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