Effects of Successive Annealing of Oxides on Electrical Characteristics of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Fid-Bau Portal

Effects of Successive Annealing of Oxides on Electrical Characteristics of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Structures

Yoshikawa, M. / Satoh, M. / Ohshima, T. / Itoh, H.

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Titel:

Effects of Successive Annealing of Oxides on Electrical Characteristics of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Structures

Beteiligte:

Yoshikawa, M. (Autor:in) / Satoh, M. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1009-1012

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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