Optimisation of Implanted Guard-Ring Terminations in 4H-SiC Schottky Diodes: Fid-Bau Portal

Optimisation of Implanted Guard-Ring Terminations in 4H-SiC Schottky Diodes

Horsfall, A. B. / Vassilevski, K. V. / Johnson, C. M. / Wright, N. G. / O Neill, A. G. / Gwilliam, R. M.

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Titel:

Optimisation of Implanted Guard-Ring Terminations in 4H-SiC Schottky Diodes

Beteiligte:

Horsfall, A. B. (Autor:in) / Vassilevski, K. V. (Autor:in) / Johnson, C. M. (Autor:in) / Wright, N. G. (Autor:in) / O Neill, A. G. (Autor:in) / Gwilliam, R. M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1149-1152

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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