Simulation of the Large-Area Growth of Homoepitaxial 4H-SiC by Chemical Vapor Deposition: Fid-Bau Portal

Simulation of the Large-Area Growth of Homoepitaxial 4H-SiC by Chemical Vapor Deposition

Pons, M. / Meziere, J. / Kuan, S. W. T. / Blanquet, E. / Ferret, P. / Di Cioccio, L. / Billon, T. / Madar, R.

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Titel:

Simulation of the Large-Area Growth of Homoepitaxial 4H-SiC by Chemical Vapor Deposition

Beteiligte:

Pons, M. (Autor:in) / Meziere, J. (Autor:in) / Kuan, S. W. T. (Autor:in) / Blanquet, E. (Autor:in) / Ferret, P. (Autor:in) / Di Cioccio, L. (Autor:in) / Billon, T. (Autor:in) / Madar, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 223-226

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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