Carrier Concentrations in Implanted and Epitaxial 4H-SiC by Scanning Spreading Resistance Microscopy: Fid-Bau Portal

Carrier Concentrations in Implanted and Epitaxial 4H-SiC by Scanning Spreading Resistance Microscopy

Osterman, J. / Anand, S. / Linnarsson, M. K. / Hallen, A.

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Titel:

Carrier Concentrations in Implanted and Epitaxial 4H-SiC by Scanning Spreading Resistance Microscopy

Beteiligte:

Osterman, J. (Autor:in) / Anand, S. (Autor:in) / Linnarsson, M. K. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 663-666

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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