Behaviour of ionized metal plasma deposited Ta diffusion barrier between Cu and SiO2: Fid-Bau Portal

Behaviour of ionized metal plasma deposited Ta diffusion barrier between Cu and SiO2

Maung Latt, K. / Park, H. S. / Li, S. / Rong, L. / Osipowicz, T. / Zhu, W. G. / Lee, Y. K.

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Titel:

Behaviour of ionized metal plasma deposited Ta diffusion barrier between Cu and SiO2

Beteiligte:

Maung Latt, K. (Autor:in) / Park, H. S. (Autor:in) / Li, S. (Autor:in) / Rong, L. (Autor:in) / Osipowicz, T. (Autor:in) / Zhu, W. G. (Autor:in) / Lee, Y. K. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 37 ; 1941-1949

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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