Study of diffusion barrier properties of ionized metal plasma (IMP) deposited TaN between Cu and SiO2: Fid-Bau Portal

Study of diffusion barrier properties of ionized metal plasma (IMP) deposited TaN between Cu and SiO2

Lee, Y. K. / Maung Latt, K. / Jaehyung, K. / Lee, K.

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Titel:

Study of diffusion barrier properties of ionized metal plasma (IMP) deposited TaN between Cu and SiO2

Beteiligte:

Lee, Y. K. (Autor:in) / Maung Latt, K. (Autor:in) / Jaehyung, K. (Autor:in) / Lee, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 3 ; 179-184

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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