Study of diffusion barrier properties of ionized metal plasma (IMP) deposited tantalum (Ta) between Cu and SiO"2: Fid-Bau Portal

Study of diffusion barrier properties of ionized metal plasma (IMP) deposited tantalum (Ta) between Cu and SiO"2

Lee, Y.K. / Maung Latt, K. / JaeHyung, K. / Osipowicz, T. / Lee, K.

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Titel:

Study of diffusion barrier properties of ionized metal plasma (IMP) deposited tantalum (Ta) between Cu and SiO"2

Beteiligte:

Lee, Y.K. (Autor:in) / Maung Latt, K. (Autor:in) / JaeHyung, K. (Autor:in) / Osipowicz, T. (Autor:in) / Lee, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 68 ; 99 - 103

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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