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Inductively coupled plasma etching of GaN using Cl2/He gases

Lin, Y. C. / Chang, S. J. / Su, Y. K. / Shei, S. C. / Hsu, S. J.

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Titel:

Inductively coupled plasma etching of GaN using Cl2/He gases

Beteiligte:

Lin, Y. C. (Autor:in) / Chang, S. J. (Autor:in) / Su, Y. K. (Autor:in) / Shei, S. C. (Autor:in) / Hsu, S. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 98 ; 60-64

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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