Long-pulse duration excimer laser annealing of Al+ ion implanted 4H-SiC for pn junction formation: Fid-Bau Portal

Long-pulse duration excimer laser annealing of Al+ ion implanted 4H-SiC for pn junction formation

Dutto, C. / Fogarassy, E. / Mathiot, D. / Muller, D. / Kern, P. / Ballutaud, D.

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Titel:

Long-pulse duration excimer laser annealing of Al+ ion implanted 4H-SiC for pn junction formation

Beteiligte:

Dutto, C. (Autor:in) / Fogarassy, E. (Autor:in) / Mathiot, D. (Autor:in) / Muller, D. (Autor:in) / Kern, P. (Autor:in) / Ballutaud, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 208/209 ; 292-297

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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