Effect of O2/CHF3 plasma treatment on n-type GaN grown on sapphire by MOCVD: Fid-Bau Portal

Effect of O2/CHF3 plasma treatment on n-type GaN grown on sapphire by MOCVD

Qin, Z. X. / Chen, Z. Z. / Zhang, H. X. / Ding, X. M. / Hu, X. D. / Yu, T. J. / Tong, Y. Z. / Zhang, G. Y.

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Titel:

Effect of O2/CHF3 plasma treatment on n-type GaN grown on sapphire by MOCVD

Beteiligte:

Qin, Z. X. (Autor:in) / Chen, Z. Z. (Autor:in) / Zhang, H. X. (Autor:in) / Ding, X. M. (Autor:in) / Hu, X. D. (Autor:in) / Yu, T. J. (Autor:in) / Tong, Y. Z. (Autor:in) / Zhang, G. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 5 ; 473-475

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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