Work function of impurity-doped polycrystalline Si1-x-yGexCy film deposited by ultraclean low-pressure CVD: Fid-Bau Portal

Work function of impurity-doped polycrystalline Si1-x-yGexCy film deposited by ultraclean low-pressure CVD

Shim, H. / Sakuraba, M. / Tsuchiya, T. / Murota, J.

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Titel:

Work function of impurity-doped polycrystalline Si1-x-yGexCy film deposited by ultraclean low-pressure CVD

Beteiligte:

Shim, H. (Autor:in) / Sakuraba, M. (Autor:in) / Tsuchiya, T. (Autor:in) / Murota, J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 212-213 ; 209-212

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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