Contact resistivity between tungsten and impurity (P and B)-doped Si1-x-yGexCy epitaxial layer: Fid-Bau Portal

Contact resistivity between tungsten and impurity (P and B)-doped Si1-x-yGexCy epitaxial layer

Noh, J. / Sakuraba, M. / Murota, J. / Zaima, S. / Yasuda, Y.

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Titel:

Contact resistivity between tungsten and impurity (P and B)-doped Si1-x-yGexCy epitaxial layer

Beteiligte:

Noh, J. (Autor:in) / Sakuraba, M. (Autor:in) / Murota, J. (Autor:in) / Zaima, S. (Autor:in) / Yasuda, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 212-213 ; 679-683

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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