Chemical and electronic structure of SiO2/Si interfacial transition layer: Fid-Bau Portal

Chemical and electronic structure of SiO2/Si interfacial transition layer

Hattori, T. / Takahashi, K. / Seman, M. B. / Nohira, H. / Hirose, K. / Kamakura, N. / Takata, Y. / Shin, S. / Kobayashi, K.

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Titel:

Chemical and electronic structure of SiO2/Si interfacial transition layer

Beteiligte:

Hattori, T. (Autor:in) / Takahashi, K. (Autor:in) / Seman, M. B. (Autor:in) / Nohira, H. (Autor:in) / Hirose, K. (Autor:in) / Kamakura, N. (Autor:in) / Takata, Y. (Autor:in) / Shin, S. (Autor:in) / Kobayashi, K. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 212-213 ; 547-555

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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