Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La2O3/Si(100) interfacial transition layer: Fid-Bau Portal

Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La2O3/Si(100) interfacial transition layer

Nohira, H. / Shiraishi, T. / Takahashi, K. / Hattori, T. / Kashiwagi, I. / Ohshima, C. / Ohmi, S. / Iwai, H. / Joumori, S. / Nakajima, K.

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Nohira, H. / Shiraishi, T. / Takahashi, K. / Hattori, T. / Kashiwagi, I. / Ohshima, C. / Ohmi, S. / Iwai, H. / Joumori, S. / Nakajima, K.

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Titel:

Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La2O3/Si(100) interfacial transition layer

Beteiligte:

Nohira, H. (Autor:in) / Shiraishi, T. (Autor:in) / Takahashi, K. (Autor:in) / Hattori, T. (Autor:in) / Kashiwagi, I. (Autor:in) / Ohshima, C. (Autor:in) / Ohmi, S. (Autor:in) / Iwai, H. (Autor:in) / Joumori, S. (Autor:in) / Nakajima, K. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 234 ; 493-496

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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