Chemical Vapor Deposition of n-Type SiC Epitaxial Layers Using Phosphine and Nitrogen as the Precursors: Fid-Bau Portal

Chemical Vapor Deposition of n-Type SiC Epitaxial Layers Using Phosphine and Nitrogen as the Precursors

Wang, R. / Bhat, I. B. / Chow, T. P.

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Titel:

Chemical Vapor Deposition of n-Type SiC Epitaxial Layers Using Phosphine and Nitrogen as the Precursors

Beteiligte:

Wang, R. (Autor:in) / Bhat, I. B. (Autor:in) / Chow, T. P. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 145-148

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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