Simulation and Measurement of Switching Characteristics of 4H-SiC Buried-Gate JFETs: Fid-Bau Portal

Simulation and Measurement of Switching Characteristics of 4H-SiC Buried-Gate JFETs

Koo, S.-M. / Domeij, M. / Zetterling, C.-M. / Ostling, M. / Forsberg, U. / Janzen, E.

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Titel:

Simulation and Measurement of Switching Characteristics of 4H-SiC Buried-Gate JFETs

Beteiligte:

Koo, S.-M. (Autor:in) / Domeij, M. (Autor:in) / Zetterling, C.-M. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in) / Forsberg, U. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 773-776

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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