Influence of Stacking Faults on the I-V Characteristics of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated on the (11&unknown;0) Face: Fid-Bau Portal

Influence of Stacking Faults on the I-V Characteristics of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated on the (11&unknown;0) Face

Kojima, K. / Ohno, T. / Fujimoto, T. / Katsuno, M. / Ohtani, N. / Nishio, J. / Ishida, Y. / Takahashi, T. / Suzuki, T. / Tanaka, T.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Influence of Stacking Faults on the I-V Characteristics of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated on the (11&unknown;0) Face

Kojima, K. / Ohno, T. / Fujimoto, T. / Katsuno, M. / Ohtani, N. / Nishio, J. / Ishida, Y. / Takahashi, T. / Suzuki, T. / Tanaka, T.

Influence of Stacking Faults on the I-V Characteristics of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated on the (11&unknown;0) Face

Kojima, K. / Ohno, T. / Fujimoto, T. / Katsuno, M. / Ohtani, N. / Nishio, J. / Ishida, Y. / Takahashi, T. / Suzuki, T. / Tanaka, T.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Influence of Stacking Faults on the I-V Characteristics of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated on the (11&unknown;0) Face

Beteiligte:

Kojima, K. (Autor:in) / Ohno, T. (Autor:in) / Fujimoto, T. (Autor:in) / Katsuno, M. (Autor:in) / Ohtani, N. (Autor:in) / Nishio, J. (Autor:in) / Ishida, Y. (Autor:in) / Takahashi, T. (Autor:in) / Suzuki, T. (Autor:in) / Tanaka, T. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 925-928

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Harada, S. / Namikawa, Y. | British Library Online Contents | 2007

Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation

Hasegawa, J. / Konishi, K. / Nakamura, Y. et al. | British Library Online Contents | 2014

Reduction of Stacking Faults in Fast Epitaxial Growth of 4H-SiC and its Impacts on High-Voltage Schottky Diodes

Fujiwara, H. / Kimoto, T. / Tojo, T. et al. | British Library Online Contents | 2005

Partial Dislocations and Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes

Twigg, M. E. / Stahlbush, R. E. / Fatemi, M. et al. | British Library Online Contents | 2004

Barrier Inhomogeneities of Mo Schottky Barrier Diodes on 4H-SiC

Naretto, M. / Perrone, D. / Ferrero, S. et al. | British Library Online Contents | 2010

Nach oben