Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation: Fid-Bau Portal

Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation

Hasegawa, J. / Konishi, K. / Nakamura, Y. / Ohtsuka, K. / Nakata, S. / Nakamine, Y. / Nishimura, T. / Hatano, M.

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Titel:

Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation

Beteiligte:

Hasegawa, J. (Autor:in) / Konishi, K. (Autor:in) / Nakamura, Y. (Autor:in) / Ohtsuka, K. (Autor:in) / Nakata, S. (Autor:in) / Nakamine, Y. (Autor:in) / Nishimura, T. (Autor:in) / Hatano, M. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 828-831

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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