MOVPE growth of Si-doped GaAs and AlxGa1-xAs using tertiarybutylarsine (TBA) in pure N2 ambient: Fid-Bau Portal

MOVPE growth of Si-doped GaAs and AlxGa1-xAs using tertiarybutylarsine (TBA) in pure N2 ambient

Huang, G. S. / Tang, X. H. / Zhang, B. L.

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Titel:

MOVPE growth of Si-doped GaAs and AlxGa1-xAs using tertiarybutylarsine (TBA) in pure N2 ambient

Beteiligte:

Huang, G. S. (Autor:in) / Tang, X. H. (Autor:in) / Zhang, B. L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 6 ; 171-174

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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