N2 as carrier gas: an alternative to H2 for enhanced epitaxy of Si, SiGe and SiGe:C: Fid-Bau Portal

N2 as carrier gas: an alternative to H2 for enhanced epitaxy of Si, SiGe and SiGe:C

Meunier-Beillard, P. / Caymax, M. / Van Nieuwenhuysen, K. / Doumen, G. / Brijs, B. / Hopstaken, M. / Geenen, L. / Vandervorst, W.

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Titel:

N2 as carrier gas: an alternative to H2 for enhanced epitaxy of Si, SiGe and SiGe:C

Beteiligte:

Meunier-Beillard, P. (Autor:in) / Caymax, M. (Autor:in) / Van Nieuwenhuysen, K. (Autor:in) / Doumen, G. (Autor:in) / Brijs, B. (Autor:in) / Hopstaken, M. (Autor:in) / Geenen, L. (Autor:in) / Vandervorst, W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 31-35

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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