Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate: Fid-Bau Portal

Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate

Kutsukake, K. / Usami, N. / Fujiwara, K. / Ujihara, T. / Sazaki, G. / Nakajima, K. / Zhang, B. / Segawa, Y.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate

Kutsukake, K. / Usami, N. / Fujiwara, K. / Ujihara, T. / Sazaki, G. / Nakajima, K. / Zhang, B. / Segawa, Y.

Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate

Kutsukake, K. / Usami, N. / Fujiwara, K. / Ujihara, T. / Sazaki, G. / Nakajima, K. / Zhang, B. / Segawa, Y.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate

Beteiligte:

Kutsukake, K. (Autor:in) / Usami, N. (Autor:in) / Fujiwara, K. (Autor:in) / Ujihara, T. (Autor:in) / Sazaki, G. (Autor:in) / Nakajima, K. (Autor:in) / Zhang, B. (Autor:in) / Segawa, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 95-98

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

Zhang, M. / An, Z. / Lin, C. et al. | British Library Online Contents | 2004

Fabrication of a strained is on sub-10-nm-thick SiGe-on-insulator virtual substrate

Tezuka, T. / Sugiyama, N. / Takagi, S. | British Library Online Contents | 2002

SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth of High-Mobility Ge-On-Insulator

Sadoh, T. / Toko, K. / Kurosawa, M. et al. | British Library Online Contents | 2011

Impact of thermal annealing on Ge-on-Insulator substrate fabricated by wafer bonding

Kang, J. / Yu, X. / Takenaka, M. et al. | British Library Online Contents | 2016

Relaxed SiGe-on-insulator with high Ge fraction obtained by oxidation of SiGe/Si-on-insulator with hydrogen ions implantation

Cheng, X. / Liu, H. / Zhang, F. | British Library Online Contents | 2007

Nach oben