Fabrication of a strained is on sub-10-nm-thick SiGe-on-insulator virtual substrate: Fid-Bau Portal

Fabrication of a strained is on sub-10-nm-thick SiGe-on-insulator virtual substrate

Tezuka, T. / Sugiyama, N. / Takagi, S.

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Titel:

Fabrication of a strained is on sub-10-nm-thick SiGe-on-insulator virtual substrate

Beteiligte:

Tezuka, T. (Autor:in) / Sugiyama, N. (Autor:in) / Takagi, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 89 ; 360 - 363

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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