SiGe-on-insulator material fabrication by oxygen implantation into SiGe/Si heterostructure and novel two-step annealing: Fid-Bau Portal

SiGe-on-insulator material fabrication by oxygen implantation into SiGe/Si heterostructure and novel two-step annealing

Zhang, M. / An, Z. / Lin, C. / Chu, P. K.

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Titel:

SiGe-on-insulator material fabrication by oxygen implantation into SiGe/Si heterostructure and novel two-step annealing

Beteiligte:

Zhang, M. (Autor:in) / An, Z. (Autor:in) / Lin, C. (Autor:in) / Chu, P. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 114/115 ; 255-259

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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