Numerical simulation of strained Si/SiGe devices: the hierarchical approach: Fid-Bau Portal

Numerical simulation of strained Si/SiGe devices: the hierarchical approach

Meinerzhagen, B. / Jungemann, C. / Neinhus, B. / Bartels, M.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Numerical simulation of strained Si/SiGe devices: the hierarchical approach

Meinerzhagen, B. / Jungemann, C. / Neinhus, B. / Bartels, M.

Numerical simulation of strained Si/SiGe devices: the hierarchical approach

Meinerzhagen, B. / Jungemann, C. / Neinhus, B. / Bartels, M.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Numerical simulation of strained Si/SiGe devices: the hierarchical approach

Beteiligte:

Meinerzhagen, B. (Autor:in) / Jungemann, C. (Autor:in) / Neinhus, B. (Autor:in) / Bartels, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 235-240

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

Vescan, L. / Stoica, T. / Goryll, M. et al. | British Library Online Contents | 1998

Raman study of strained SiGe layers

Gu, S. / Zhang, R. / Han, P. et al. | British Library Online Contents | 1994

The characteristic of HfO2 on strained SiGe

Chen, T. C. / Lee, L. S. / Lai, W. Z. et al. | British Library Online Contents | 2005

Optical anisotropies in strained Si/SiGe systems

Olajos, J. / Engvall, J. / Grimmeiss, H. G. et al. | British Library Online Contents | 1996

Rigorous modeling approach to numerical simulation of SiGe HBTs

Palankovski, V. / Rohrer, G. / Grasser, T. et al. | British Library Online Contents | 2004

Nach oben