SiGe elevated source/drain structure and nickel silicide contact layer for sub 0.1 mm MOSFET fabrication: Fid-Bau Portal

SiGe elevated source/drain structure and nickel silicide contact layer for sub 0.1 mm MOSFET fabrication

Shim, J. / Oh, H. / Choi, H. / Sakaguchi, T. / Kurino, H. / Koyanagi, M.

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Titel:

SiGe elevated source/drain structure and nickel silicide contact layer for sub 0.1 mm MOSFET fabrication

Beteiligte:

Shim, J. (Autor:in) / Oh, H. (Autor:in) / Choi, H. (Autor:in) / Sakaguchi, T. (Autor:in) / Kurino, H. (Autor:in) / Koyanagi, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 260-264

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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