Technology CAD of silicided Schottky barrier MOSFET for elevated source-drain engineering: Fid-Bau Portal

Technology CAD of silicided Schottky barrier MOSFET for elevated source-drain engineering

Saha, A. R. / Chattopadhyay, S. / Bose, C. / Maiti, C. K.

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Titel:

Technology CAD of silicided Schottky barrier MOSFET for elevated source-drain engineering

Beteiligte:

Saha, A. R. (Autor:in) / Chattopadhyay, S. (Autor:in) / Bose, C. (Autor:in) / Maiti, C. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 424-430

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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