Characteristics of ZrO~2/Al~2O~3 Bilayer Film for Gate Dielectric Applications Deposited by Atomic Layer Deposition Method: Fid-Bau Portal

Characteristics of ZrO~2/Al~2O~3 Bilayer Film for Gate Dielectric Applications Deposited by Atomic Layer Deposition Method

Kim, Y. D. / Lee, J. H. / Koo, J. H. / Chang, H. J. / Jeon, H. T.

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Titel:

Characteristics of ZrO~2/Al~2O~3 Bilayer Film for Gate Dielectric Applications Deposited by Atomic Layer Deposition Method

Beteiligte:

Kim, Y. D. (Autor:in) / Lee, J. H. (Autor:in) / Koo, J. H. (Autor:in) / Chang, H. J. (Autor:in) / Jeon, H. T. (Autor:in) / Kang, S.-G. / Kobayashi, T.

Erschienen in:

Designing, Processing and Properties of Advanced Engineering Materials PART 1 ; 497-500

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 449/452

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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